ВСЕЛЕННАЯ СВЕТА: Два ключа к тайнам Вселенной. Том 1 - стр. 23
Необходимо обратить внимание на местоположение в рассматриваемой системе полюса отрицательной силы, ответственного вместе с положительным зарядом за формирование указанного уровня напряжения противодействующих сил. Используя параллелограмм сопряженных сил, мы выходим на восьмой уровень приобретенного отрицательной силой потенциала, что определяет аналогичную величину противодействия. В свою очередь, для восьмого уровня величина формирующего его отрицательного заряда равна 16 единицам. Сравнивая отношение между величинами указанных отрицательных зарядов 16:8, а также между каждым из них и величиной потенциала их сил в точках приложения 16:8 и 8:4, видим, что оно во всех случаях кратно 2.
Причина отмеченной кратности в образовании и проявлении величины отрицательного заряда лежит в действии закона творящего Света, согласно которому разложение противодействующих сил на составляющие в двухмерной интерпретации подчинено правилу параллелограмма. Начиная с единичного силового треугольника (рис. 4.а), на каждую последующую затраченную единицу потенциала положительной светосилы восстановление параллелограмма сопряженных сил приводит к приращению 2-х единиц потенциала к заряду отрицательной силы отражения. В результате увеличение заряда противодействия происходит в арифметической прогрессии с разностью 2.
Из вышесказанного следует, что в рассматриваемой биполярной системе Света можно выделить две сопряженные подсистемы и, соответственно, ограниченные ими структуры двух пространственно-временных континуумов – отвлеченного пространства двойственной силы и проявленного пространства напряжения. Силовая подсистема представлена векторами параллелограмма противодействующих сил истекающего и отраженного Света, положительным и отрицательными зарядами. Увеличение напряжения (разности потенциалов) в точках сопряжения составляющих сил действия и противодействия в направлении положительного заряда указывает, что силовая подсистема отражает неоднородность космического электромагнитного поля. Видно, что с увеличением напряжения сопряженных сил происходит схождение силовых линий. Это находится в соответствии с существующим представлением, как должна выглядеть картина электрического поля точечного заряда. Необходимо отметить, что силовые линии нормальны к дугам, представляющим срезы эквипотенциальных поверхностей сферы действия Света.
Структура второй подсистемы в двухмерной проекции представлена пространственными струнами натяжения. Формирование величины напряжения этого воплощенного в бытие светоносного элемента, как уже отмечалось, становится возможным за счет трансформации потенциала сопряжения противодействующих сил Света с вертикального на горизонтальный план. Она складывается из разности потенциалов между силами натяжения и сокращения струн, которые по аналогии с первой подсистемой являются силами действия и противодействия. На рис. 4.а видно, что в начальном состоянии подсистемы напряжение равно 0. Оно начинает расти по мере роста энергетического уровня проявления и достигает максимального значения в 28 единиц потенциала в момент достижения статического равновесия между противодействующими силами Света. Таким образом, величина напряжения второй подсистемы как результирующая всей системы равна: